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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado > PDTB123YS,126
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PDTB123YS,126
| EXSHINE Número de pieza: | EX-PDTB123YS,126 |
|---|---|
| Fabricante Número de pieza: | PDTB123YS,126 |
| Fabricante / Marca: | NXP Semiconductors / Freescale |
| Breve descripción: | TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición: | New and unused, Original |
| Descarga de la hoja de datos: | PDTB123Y Series |
| Solicitud: | - |
| Peso: | - |
| Reemplazo Alternativo: | - |
Disponibilidad en tiempo real para
PDTB123YS,126
En stock: 87214 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
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- Descripción
- Pago
- Envío
- embalaje
Parámetro del producto
| Tensión - Colector-emisor (máx) | 50V |
|---|---|
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
| Paquete del dispositivo | TO-92-3 |
| Serie | - |
| Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms) | 10k |
| Resistencia - Base (R1) (Ohms) | 2.2k |
| Potencia - Max | 500mW |
| embalaje | Tape & Box (TB) |
| Paquete / Cubierta | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Otros nombres | 934059148126 PDTB123YS AMO PDTB123YS AMO-ND |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante | PDTB123YS,126 |
| Frecuencia - Transición | - |
| Descripción ampliada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3 |
| Descripción | TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
| Corriente - corte del colector (Max) | 500nA |
| Corriente - colector (Ic) (Max) | 500mA |
Otros
| Otros nombres | 934059148126 PDTB123YS AMO PDTB123YS AMO-ND |
|---|---|
| Paquete estándar | 2,000 |
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