PHT8N06LT,135

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PHT8N06LT,135

EXSHINE Número de pieza:EX-PHT8N06LT,135
Fabricante Número de pieza:PHT8N06LT,135
Fabricante / Marca:NXP Semiconductors / Freescale
Breve descripción:MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:New and unused, Original
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PHT8N06LT,135
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Mínimo:1

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Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id 2V @ 1mA
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo SOT-223
Serie TrenchMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs 80 mOhm @ 5A, 5V
La disipación de energía (máximo) 1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta TO-261-4, TO-261AA
Otros nombres 568-7369-2
934054610135
PHT8N06LT /T3
PHT8N06LT /T3-ND
PHT8N06LT,135-ND
PHT8N06LT135
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante PHT8N06LT,135
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 11.2nC @ 5V
Tipo FET N-Channel
Característica de FET -
Descripción ampliada N-Channel 55V 3.5A (Ta) 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount SOT-223
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 55V
Descripción MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A (Ta)

Otros

Paquete estándar 4,000
Otros nombres 568-7369-2

934054610135

PHT8N06LT /T3

PHT8N06LT /T3-ND

PHT8N06LT,135-ND

PHT8N06LT135

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