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PMGD8000LN,115

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PMGD8000LN,115

EXSHINE Número de pieza:EX-PMGD8000LN,115
Fabricante Número de pieza:PMGD8000LN,115
Fabricante / Marca:NXP Semiconductors / Freescale
Breve descripción:MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:PMGD8000LN
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Reemplazo Alternativo:-
Disponibilidad en tiempo real para
PMGD8000LN,115
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Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id 1.5V @ 100µA
Paquete del dispositivo 6-TSSOP
Serie TrenchMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs 8 Ohm @ 10mA, 4V
Potencia - Max 200mW
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres 568-2370-2
934057621115
PMGD8000LN T/R
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante PMGD8000LN,115
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 18.5pF @ 5V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 0.35nC @ 4.5V
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Característica de FET Logic Level Gate
Descripción ampliada Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 125mA 200mW Surface Mount 6-TSSOP
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30V
Descripción MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 125mA

Otros

Otros nombres 568-2370-2

934057621115

PMGD8000LN T/R
Paquete estándar 3,000

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 Tiempo de entrega: 1-3 días.
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 Tiempo de entrega: 2-4 días.
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 Tiempo de entrega: 7-10 días.

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