PSMN1R7-25YLC,115

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EXSHINE Número de pieza:	EX-PSMN1R7-25YLC,115
Fabricante Número de pieza:	PSMN1R7-25YLC,115
Fabricante / Marca:	NXP Semiconductors / Freescale
Breve descripción:	MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:	New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:	PSMN1R7-25YLC
Solicitud:	-
Peso:	-
Reemplazo Alternativo:	-

Disponibilidad en tiempo real para

PSMN1R7-25YLC,115
En stock: 51339 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

Descripción
Pago
Envío
embalaje

Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id	1.95V @ 1mA
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo	LFPAK56, Power-SO8
Serie	-
RDS (Max) @Id, Vgs	1.9 mOhm @ 25A, 10V
La disipación de energía (máximo)	164W (Tc)
embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	SC-100, SOT-669
Otros nombres	568-6723-2 934065198115 PSMN1R725YLC115
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante	PSMN1R7-25YLC,115
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3735pF @ 12V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	59nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-
Descripción ampliada	N-Channel 25V 100A (Tc) 164W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	25V
Descripción	MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)

Otros

Paquete estándar	1,500
Otros nombres	568-6723-2 934065198115 PSMN1R725YLC115

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