PSMN9R5-100XS,127

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EXSHINE Número de pieza:	EX-PSMN9R5-100XS,127
Fabricante Número de pieza:	PSMN9R5-100XS,127
Fabricante / Marca:	NXP Semiconductors / Freescale
Breve descripción:	MOSFET N-CH 100V 44.2A TO220F
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:	New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:	PSMN9R5-100XS
Solicitud:	-
Peso:	-
Reemplazo Alternativo:	-

Disponibilidad en tiempo real para

PSMN9R5-100XS,127
En stock: 53931 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

Descripción
Pago
Envío
embalaje

Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id	4V @ 1mA
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo	TO-220F
Serie	-
RDS (Max) @Id, Vgs	9.6 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo)	52.6W (Tc)
embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Otros nombres	568-9498-5 934066043127 PSMN9R5-100XS,127-ND PSMN9R5-100XS127 PSMN9R5100XS127
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante	PSMN9R5-100XS,127
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4454pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	81.5nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-
Descripción ampliada	N-Channel 100V 44.2A (Tc) 52.6W (Tc) Through Hole TO-220F
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V
Descripción	MOSFET N-CH 100V 44.2A TO220F
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	44.2A (Tc)

Otros

Otros nombres	568-9498-5 934066043127 PSMN9R5-100XS,127-ND PSMN9R5-100XS127 PSMN9R5100XS127
Paquete estándar	50

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