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QJD1210010
| EXSHINE Número de pieza: | EX-QJD1210010 |
|---|---|
| Fabricante Número de pieza: | QJD1210010 |
| Fabricante / Marca: | Powerex, Inc. |
| Breve descripción: | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición: | New and unused, Original |
| Descarga de la hoja de datos: | Full SiC & Hybride SiC IGBTs BriefQJD1210010 Preliminary Datasheet |
| Solicitud: | - |
| Peso: | - |
| Reemplazo Alternativo: | - |
Disponibilidad en tiempo real para
QJD1210010
En stock: 53982 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
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- Descripción
- Pago
- Envío
- embalaje
Parámetro del producto
| VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 10mA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo | Module |
| Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 25 mOhm @ 100A, 20V |
| Potencia - Max | 1080W |
| embalaje | Bulk |
| Paquete / Cubierta | Module |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante | QJD1210010 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 10200pF @ 800V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 500nC @ 20V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET | Standard |
| Descripción ampliada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 100A 1080W Chassis Mount Module |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 1200V (1.2kV) |
| Descripción | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 100A |
Otros
| Paquete estándar | 1 |
|---|
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Distribuidor de Powerex Inc.
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