CSD17575Q3T

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CSD17575Q3T

EXSHINE Número de pieza:EX-CSD17575Q3T
Fabricante Número de pieza:CSD17575Q3T
Fabricante / Marca:Texas Instruments
Breve descripción:MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:1
Descarga de la hoja de datos:CSD17575Q3T
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CSD17575Q3T
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Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id 1.8V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo 8-VSON (5x6)
Serie NexFET™
RDS (Max) @Id, Vgs 2.3 mOhm @ 25A, 10V
La disipación de energía (máximo) 2.8W (Ta), 108W (Tc)
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta 8-PowerTDFN
Otros nombres 296-37961-2
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 26 Weeks
Número de pieza del fabricante CSD17575Q3T
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4420pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 30nC @ 4.5V
Tipo FET N-Channel
Característica de FET -
Descripción ampliada N-Channel 30V 60A (Ta) 2.8W (Ta), 108W (Tc) Surface Mount 8-VSON (5x6)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30V
Descripción MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 60A (Ta)

Otros

Paquete estándar 250
Otros nombres 296-37961-2

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