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CSD18535KTTT
| EXSHINE Número de pieza: | EX-CSD18535KTTT |
|---|---|
| Fabricante Número de pieza: | CSD18535KTTT |
| Fabricante / Marca: | Texas Instruments |
| Breve descripción: | MOSFET N-CH 60V 200A TO-263 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS: | Contiene plomo / Cumple con RoHS |
| Condición: | 1 |
| Descarga de la hoja de datos: | CSD18535KTTT |
| Solicitud: | - |
| Peso: | - |
| Reemplazo Alternativo: | - |
Disponibilidad en tiempo real para
CSD18535KTTT
En stock: 30010 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
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- Descripción
- Pago
- Envío
- embalaje
Parámetro del producto
| VGS (th) (Max) @Id | 2.4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | DDPAK/TO-263-3 |
| Serie | NexFET™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 2 mOhm @ 100A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 300W (Tc) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
| Otros nombres | 296-44121-2 CSD18535KTTT-ND |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 2 (1 Year) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 20 Weeks |
| Número de pieza del fabricante | CSD18535KTTT |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6620pF @ 30V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 81nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - |
| Descripción ampliada | N-Channel 60V 200A (Ta), 279A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60V |
| Descripción | MOSFET N-CH 60V 200A TO-263 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 200A (Ta), 279A (Tc) |
Otros
| Paquete estándar | 50 |
|---|---|
| Otros nombres | 296-44121-2 CSD18535KTTT-ND |
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EMS EXPRESS Tiempo de entrega: 7-10 días. |
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