CSD19538Q3AT

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EXSHINE Número de pieza:EX-CSD19538Q3AT
Fabricante Número de pieza:CSD19538Q3AT
Fabricante / Marca:Texas Instruments
Breve descripción:MOSFET N-CH 100V 15A VSONP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:New and unused, Original
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Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id 3.8V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo 8-VSONP (3x3.15)
Serie NexFET™
RDS (Max) @Id, Vgs 59 mOhm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo) 2.8W (Ta), 23W (Tc)
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta 8-PowerVDFN
Otros nombres 296-44473-2
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 6 Weeks
Número de pieza del fabricante CSD19538Q3AT
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 454pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 4.3nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica de FET -
Descripción ampliada N-Channel 100V 15A (Ta) 2.8W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (3x3.15)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100V
Descripción MOSFET N-CH 100V 15A VSONP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Ta)

Otros

Otros nombres 296-44473-2
Paquete estándar 250

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