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CSD23202W10
| EXSHINE Número de pieza: | EX-CSD23202W10 |
|---|---|
| Fabricante Número de pieza: | CSD23202W10 |
| Fabricante / Marca: | Texas Instruments |
| Breve descripción: | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición: | New and unused, Original |
| Descarga de la hoja de datos: | CSD23202W10 |
| Solicitud: | - |
| Peso: | - |
| Reemplazo Alternativo: | - |
Disponibilidad en tiempo real para
CSD23202W10
En stock: 44096000 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
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Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
- Descripción
- Pago
- Envío
- embalaje
Parámetro del producto
| VGS (th) (Max) @Id | 900mV @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | -6V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | 4-DSBGA (1x1) |
| Serie | NexFET™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 53 mOhm @ 500mA, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo) | 1W (Ta) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 4-UFBGA, DSBGA |
| Otros nombres | 296-40000-2 CSD23202W10-ND |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 14 Weeks |
| Número de pieza del fabricante | CSD23202W10 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 512pF @ 6V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 3.8nC @ 4.5V |
| Tipo FET | P-Channel |
| Característica de FET | - |
| Descripción ampliada | P-Channel 12V 2.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1) |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 12V |
| Descripción | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 2.2A (Ta) |
Otros
| Paquete estándar | 3,000 |
|---|---|
| Otros nombres | 296-40000-2 CSD23202W10-ND |
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