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CSD25211W1015
| EXSHINE Número de pieza: | EX-CSD25211W1015 |
|---|---|
| Fabricante Número de pieza: | CSD25211W1015 |
| Fabricante / Marca: | Texas Instruments |
| Breve descripción: | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición: | New and unused, Original |
| Descarga de la hoja de datos: | CSD25211W1015 |
| Solicitud: | - |
| Peso: | - |
| Reemplazo Alternativo: | - |
Disponibilidad en tiempo real para
CSD25211W1015
En stock: 80207000 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
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Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
- Descripción
- Pago
- Envío
- embalaje
Parámetro del producto
| VGS (th) (Max) @Id | 1.1V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | -6V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | 6-DSBGA (1x1.5) |
| Serie | NexFET™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 33 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo) | 1W (Ta) |
| embalaje | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta | 6-UFBGA, DSBGA |
| Otros nombres | 296-36578-6 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 7 Weeks |
| Número de pieza del fabricante | CSD25211W1015 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 570pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 4.1nC @ 4.5V |
| Tipo FET | P-Channel |
| Característica de FET | - |
| Descripción ampliada | P-Channel 20V 3.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5) |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V |
| Descripción | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 3.2A (Ta) |
Otros
| Paquete estándar | 1 |
|---|---|
| Otros nombres | 296-36578-6 |
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