CSD25483F4

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EXSHINE Número de pieza:EX-CSD25483F4
Fabricante Número de pieza:CSD25483F4
Fabricante / Marca:Texas Instruments
Breve descripción:MOSFET P-CH 20V LGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:1
Descarga de la hoja de datos:CSD25483F4
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Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id 1.2V @ 250µA
Vgs (Max) -12V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo 3-PICOSTAR
Serie NexFET™
RDS (Max) @Id, Vgs 205 mOhm @ 500mA, 8V
La disipación de energía (máximo) 500mW (Ta)
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta 3-XFDFN
Otros nombres 296-38917-2
CSD25483F4-ND
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 6 Weeks
Número de pieza del fabricante CSD25483F4
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 198pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 0.959nC @ 4.5V
Tipo FET P-Channel
Característica de FET -
Descripción ampliada P-Channel 20V 1.6A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 3-PICOSTAR
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20V
Descripción MOSFET P-CH 20V LGA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 1.6A (Ta)

Otros

Paquete estándar 3,000
Otros nombres 296-38917-2

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