CSD85312Q3E

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CSD85312Q3E

EXSHINE Número de pieza:EX-CSD85312Q3E
Fabricante Número de pieza:CSD85312Q3E
Fabricante / Marca:Texas Instruments
Breve descripción:MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:CSD85312Q3E
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CSD85312Q3E
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Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id 1.4V @ 250µA
Paquete del dispositivo 8-VSON (3.3x3.3)
Serie NexFET™
RDS (Max) @Id, Vgs 12.4 mOhm @ 10A, 8V
Potencia - Max 2.5W
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta 8-PowerVDFN
Otros nombres CSD85312Q3E-ND
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 6 Weeks
Número de pieza del fabricante CSD85312Q3E
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2390pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 15.2nC @ 4.5V
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Source
Característica de FET Logic Level Gate, 5V Drive
Descripción ampliada Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 20V 39A 2.5W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20V
Descripción MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 39A

Otros

Otros nombres CSD85312Q3E-ND
Paquete estándar 2,500

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