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CSD88539NDT
| EXSHINE Número de pieza: | EX-CSD88539NDT |
|---|---|
| Fabricante Número de pieza: | CSD88539NDT |
| Fabricante / Marca: | Texas Instruments |
| Breve descripción: | MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición: | New and unused, Original |
| Descarga de la hoja de datos: | CSD88539NDT |
| Solicitud: | - |
| Peso: | - |
| Reemplazo Alternativo: | - |
Disponibilidad en tiempo real para
CSD88539NDT
En stock: 32377000 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
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Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
- Descripción
- Pago
- Envío
- embalaje
Parámetro del producto
| VGS (th) (Max) @Id | 3.6V @ 250µA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo | 8-SO |
| Serie | NexFET™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 28 mOhm @ 5A, 10V |
| Potencia - Max | 2.1W |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres | 296-37796-2 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 6 Weeks |
| Número de pieza del fabricante | CSD88539NDT |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 741pF @ 30V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 9.4nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET | Logic Level Gate |
| Descripción ampliada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A 2.1W Surface Mount 8-SO |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60V |
| Descripción | MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 15A |
Otros
| Paquete estándar | 250 |
|---|---|
| Otros nombres | 296-37796-2 |
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