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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-bipolar (BJT)-matrices presesgadas > RN4905FE,LF(CB
RN4905FE,LF(CB

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RN4905FE,LF(CB

EXSHINE Número de pieza:EX-RN4905FE,LF(CB
Fabricante Número de pieza:RN4905FE,LF(CB
Fabricante / Marca:Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:RN4905FE
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Disponibilidad en tiempo real para
RN4905FE,LF(CB
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Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
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Parámetro del producto

Tensión - Colector-emisor (máx) 50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo ES6
Serie -
Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms) 47k
Resistencia - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Potencia - Max 100mW
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta SOT-563, SOT-666
Otros nombres RN4905FE(TE85L,F)
RN4905FE(TE85LF)TR
RN4905FE(TE85LF)TR-ND
RN4905FE,LF(CT
RN4905FELF(CBTR
RN4905FELF(CTTR
RN4905FELF(CTTR-ND
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 16 Weeks
Número de pieza del fabricante RN4905FE,LF(CB
Frecuencia - Transición 200MHz
Descripción ampliada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Descripción TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max) 100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max) 100mA

Otros

Otros nombres RN4905FE(TE85L,F)

RN4905FE(TE85LF)TR

RN4905FE(TE85LF)TR-ND

RN4905FE,LF(CT

RN4905FELF(CBTR

RN4905FELF(CTTR

RN4905FELF(CTTR-ND
Paquete estándar 4,000

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Distribuidor de Toshiba Semiconductor and Storage

- Touchstone Semiconductor Inc. crea soluciones de circuitos integrados analógicos (IC) de alto rendimiento que resuelven problemas críticos para las compañías de electrónica. Nuestros productos patentados ofrecen una combinación única de características y rendimiento que no se pueden encontrar en ninguna otra parte del mercado analógico. Nuestros productos de segunda fuente son compatibles con los pines y tienen una especificación idéntica a la de las ofertas competitivas, proporcionando una alternativa ideal para productos de fuente única difíciles de asegurar. Fundada en 2010, Touchstone tiene su sede en Milpitas, California. Sus inversores incluyen Opus Capital y Khosla Ventures.
Nuestra misión en Touchstone Semiconductor es diseñar IC analógicos de alto rendimiento que te ayuden a resolver los problemas de tus clientes. Hacemos esto mediante el desarrollo de circuitos integrados analógicos de alto rendimiento y ultra bajo consumo que reducen el consumo de energía en sus productos.

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