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TPN1R603PL,L1Q
| EXSHINE Número de pieza: | EX-TPN1R603PL,L1Q |
|---|---|
| Fabricante Número de pieza: | TPN1R603PL,L1Q |
| Fabricante / Marca: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Breve descripción: | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición: | New and unused, Original |
| Descarga de la hoja de datos: | TPN1R603PL |
| Solicitud: | - |
| Peso: | - |
| Reemplazo Alternativo: | - |
Disponibilidad en tiempo real para
TPN1R603PL,L1Q
En stock: 12511000 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
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Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
- Descripción
- Pago
- Envío
- embalaje
Parámetro del producto
| VGS (th) (Max) @Id | 10V @ 10µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Serie | U-MOSIX-H |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 1.2 mOhm @ 80A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 104W (Tc) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 8-PowerVDFN |
| Otros nombres | TPN1R603PL,L1Q(M TPN1R603PLL1Q TPN1R603PLL1QTR |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 12 Weeks |
| Número de pieza del fabricante | TPN1R603PL,L1Q |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3900pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 41nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - |
| Descripción ampliada | N-Channel 30V 80A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Otros
| Paquete estándar | 5,000 |
|---|---|
| Otros nombres | TPN1R603PL,L1Q(M TPN1R603PLL1Q TPN1R603PLL1QTR |
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Distribuidor de Toshiba Semiconductor and Storage
- Touchstone Semiconductor Inc. crea soluciones de circuitos integrados analógicos (IC) de alto rendimiento que resuelven problemas críticos para las compañías de electrónica. Nuestros productos patentados ofrecen una combinación única de características y rendimiento que no se pueden encontrar en ninguna otra parte del mercado analógico. Nuestros productos de segunda fuente son compatibles con los pines y tienen una especificación idéntica a la de las ofertas competitivas, proporcionando una alternativa ideal para productos de fuente única difíciles de asegurar. Fundada en 2010, Touchstone tiene su sede en Milpitas, California. Sus inversores incluyen Opus Capital y Khosla Ventures.
Nuestra misión en Touchstone Semiconductor es diseñar IC analógicos de alto rendimiento que te ayuden a resolver los problemas de tus clientes. Hacemos esto mediante el desarrollo de circuitos integrados analógicos de alto rendimiento y ultra bajo consumo que reducen el consumo de energía en sus productos.