NXPLQSC10650Q

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EXSHINE Número de pieza:	EX-NXPLQSC10650Q
Fabricante Número de pieza:	NXPLQSC10650Q
Fabricante / Marca:	WeEn Semiconductors Co., Ltd
Breve descripción:	DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Condición:	New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:	NXPLQSC10650
Solicitud:	-
Peso:	-
Reemplazo Alternativo:	-

Disponibilidad en tiempo real para

NXPLQSC10650Q
En stock: 14530 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

Descripción
Pago
Envío
embalaje

Parámetro del producto

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	1.85V @ 10A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)	650V
Paquete del dispositivo	TO-220AC
Velocidad	No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie	-
Tiempo de recuperación inversa (trr)	0ns
embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-2
Otros nombres	1740-1223 934070147127
Temperatura de funcionamiento - Junction	175°C (Max)
Tipo de montaje	Through Hole
Tiempo de entrega estándar del fabricante	12 Weeks
Número de pieza del fabricante	NXPLQSC10650Q
Descripción ampliada	Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A Through Hole TO-220AC
Tipo de diodo	Silicon Carbide Schottky
Descripción	DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2
Corriente - Fuga inversa a Vr	230µA @ 650V
Corriente - rectificada media (Io)	10A
Capacitancia Vr, F	250pF @ 1V, 1MHz

Otros

Otros nombres	1740-1223 934070147127
Paquete estándar	50

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