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GA20JT12-263
| EXSHINE Número de pieza: | EX-GA20JT12-263 |
|---|---|
| Fabricante Número de pieza: | GA20JT12-263 |
| Fabricante / Marca: | GeneSiC Semiconductor |
| Breve descripción: | TRANS SJT 1200V 45A |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición: | New and unused, Original |
| Descarga de la hoja de datos: | GA20JT12-263 |
| Solicitud: | - |
| Peso: | - |
| Reemplazo Alternativo: | - |
Disponibilidad en tiempo real para
GA20JT12-263
En stock: 99540 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
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Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
- Descripción
- Pago
- Envío
- embalaje
Parámetro del producto
| VGS (th) (Max) @Id | - |
|---|---|
| Vgs (Max) | 3.44V |
| Tecnología | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Paquete del dispositivo | - |
| Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 60 mOhm @ 20A |
| La disipación de energía (máximo) | 282W (Tc) |
| embalaje | - |
| Paquete / Cubierta | - |
| Otros nombres | 1242-1189 GA20JT12-247ISO GA20JT12247ISO |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 18 Weeks |
| Número de pieza del fabricante | GA20JT12-263 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3091pF @ 800V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | - |
| Tipo FET | - |
| Característica de FET | - |
| Descripción ampliada | 1200V (1.2kV) 45A (Tc) 282W (Tc) |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 1200V (1.2kV) |
| Descripción | TRANS SJT 1200V 45A |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 45A (Tc) |
Otros
| Paquete estándar | 50 |
|---|---|
| Otros nombres | 1242-1189 GA20JT12-247ISO GA20JT12247ISO |
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Distribuidor de GeneSiC Semiconductor
- Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") fundada en 2007 es una compañía de desarrollo y fabricación integrada dedicada a productos basados en tecnologías de carburo de silicio (SiC). Estos productos serán fundamentales para las industrias de electrónica de potencia y energía en los próximos años, donde se necesitan tecnologías avanzadas para la generación, conversión y transmisión de energía altamente eficiente y de bajo costo.