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GA20SICP12-247

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GA20SICP12-247

EXSHINE Número de pieza:EX-GA20SICP12-247
Fabricante Número de pieza:GA20SICP12-247
Fabricante / Marca:GeneSiC Semiconductor
Breve descripción:TRANS SJT 1200V 45A TO247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:GA20SICP12-247
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Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
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Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id -
Tecnología SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Paquete del dispositivo TO-247AB
Serie -
RDS (Max) @Id, Vgs 50 mOhm @ 20A
La disipación de energía (máximo) 282W (Tc)
embalaje Tube
Paquete / Cubierta TO-247-3
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 18 Weeks
Número de pieza del fabricante GA20SICP12-247
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3091pF @ 800V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs -
Tipo FET -
Característica de FET -
Descripción ampliada 1200V (1.2kV) 45A (Tc) 282W (Tc) Through Hole TO-247AB
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 1200V (1.2kV)
Descripción TRANS SJT 1200V 45A TO247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 45A (Tc)

Otros

Paquete estándar 50

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Distribuidor de GeneSiC Semiconductor

- Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") fundada en 2007 es una compañía de desarrollo y fabricación integrada dedicada a productos basados ​​en tecnologías de carburo de silicio (SiC). Estos productos serán fundamentales para las industrias de electrónica de potencia y energía en los próximos años, donde se necesitan tecnologías avanzadas para la generación, conversión y transmisión de energía altamente eficiente y de bajo costo.

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