BSC889N03MSGATMA1

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EXSHINE Número de pieza:	EX-BSC889N03MSGATMA1
Fabricante Número de pieza:	BSC889N03MSGATMA1
Fabricante / Marca:	Infineon Technologies
Breve descripción:	MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:	New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:	BSC889N03MS G
Solicitud:	-
Peso:	-
Reemplazo Alternativo:	-

Disponibilidad en tiempo real para

BSC889N03MSGATMA1
En stock: 58967 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

Descripción
Pago
Envío
embalaje

Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id	2V @ 250µA
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo	PG-TDSON-8
Serie	OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs	9.1 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.5W (Ta), 28W (Tc)
embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-PowerTDFN
Otros nombres	BSC889N03MS G BSC889N03MS G-ND BSC889N03MS GTR-ND BSC889N03MSG SP000507410
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante	BSC889N03MSGATMA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1500pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	20nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-
Descripción ampliada	N-Channel 30V 12A (Ta) 44A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción	MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Ta) 44A (Tc)

Otros

Otros nombres	BSC889N03MS G BSC889N03MS G-ND BSC889N03MS GTR-ND BSC889N03MSG SP000507410
Paquete estándar	5,000

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