BSC900N20NS3 G

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BSC900N20NS3 G

EXSHINE Número de pieza:EX-BSC900N20NS3 G
Fabricante Número de pieza:BSC900N20NS3 G
Fabricante / Marca:Infineon Technologies
Breve descripción:MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TDSON
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:BSC900N20NS3G
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BSC900N20NS3 G
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Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id 4V @ 30µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo PG-TDSON-8
Serie OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs 90 mOhm @ 7.6A, 10V
La disipación de energía (máximo) 62.5W (Tc)
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta 8-PowerTDFN
Otros nombres BSC900N20NS3G
BSC900N20NS3GATMA1
BSC900N20NS3GTR
SP000781780
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 16 Weeks
Número de pieza del fabricante BSC900N20NS3 G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 920pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 11.6nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica de FET -
Descripción ampliada N-Channel 200V 15.2A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 200V
Descripción MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TDSON
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 15.2A (Tc)

Otros

Otros nombres BSC900N20NS3G

BSC900N20NS3GATMA1

BSC900N20NS3GTR

SP000781780
Paquete estándar 5,000

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