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IRF9910

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IRF9910

EXSHINE Número de pieza:EX-IRF9910
Fabricante Número de pieza:IRF9910
Fabricante / Marca:Infineon Technologies
Breve descripción:MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / No conforme a RoHS
Condición:New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:IRF9910
Solicitud:-
Peso:-
Reemplazo Alternativo:-
Disponibilidad en tiempo real para
IRF9910
En stock: 49256 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

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Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id 2.55V @ 250µA
Paquete del dispositivo 8-SO
Serie HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs 13.4 mOhm @ 10A, 10V
Potencia - Max 2W
embalaje Tube
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres *IRF9910
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante IRF9910
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 11nC @ 4.5V
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Característica de FET Logic Level Gate
Descripción ampliada Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10A, 12A 2W Surface Mount 8-SO
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20V
Descripción MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 10A, 12A

Otros

Otros nombres *IRF9910
Paquete estándar 95

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 EMS EXPRESS
 Tiempo de entrega: 7-10 días.

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