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R6020ENZ1C9
| EXSHINE Número de pieza: | EX-R6020ENZ1C9 |
|---|---|
| Fabricante Número de pieza: | R6020ENZ1C9 |
| Fabricante / Marca: | LAPIS Semiconductor |
| Breve descripción: | MOSFET N-CH 600V 20A TO247 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición: | New and unused, Original |
| Descarga de la hoja de datos: | R6020ENZ1 |
| Solicitud: | - |
| Peso: | - |
| Reemplazo Alternativo: | - |
Disponibilidad en tiempo real para
R6020ENZ1C9
En stock: 76320 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
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- Descripción
- Pago
- Envío
- embalaje
Parámetro del producto
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-247 |
| Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 196 mOhm @ 9.5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 120W (Tc) |
| embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | TO-247-3 |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 17 Weeks |
| Número de pieza del fabricante | R6020ENZ1C9 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - |
| Descripción ampliada | N-Channel 600V 20A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 600V |
| Descripción | MOSFET N-CH 600V 20A TO247 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
Otros
| Paquete estándar | 450 |
|---|
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