R6020KNZC8

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R6020KNZC8

EXSHINE Número de pieza:EX-R6020KNZC8
Fabricante Número de pieza:R6020KNZC8
Fabricante / Marca:LAPIS Semiconductor
Breve descripción:NCH 600V 20A POWER MOSFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:R6020KNZ
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R6020KNZC8
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2500+:
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Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id 5V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo TO-3PF
Serie -
RDS (Max) @Id, Vgs 196 mOhm @ 9.5A, 10V
La disipación de energía (máximo) 68W (Tc)
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta TO-3P-3 Full Pack
Otros nombres R6020KNZC8TR
R6020KNZC8TR-ND
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 15 Weeks
Número de pieza del fabricante R6020KNZC8
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1550pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 40nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica de FET -
Descripción ampliada N-Channel 600V 20A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-3PF
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 600V
Descripción NCH 600V 20A POWER MOSFET
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)

Otros

Otros nombres R6020KNZC8TR

R6020KNZC8TR-ND
Paquete estándar 30

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