APTM10UM01FAG

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EXSHINE Número de pieza:	EX-APTM10UM01FAG
Fabricante Número de pieza:	APTM10UM01FAG
Fabricante / Marca:	Microsemi
Breve descripción:	MOSFET N-CH 100V 860A SP6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:	New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:	APTM10UM01FAG Power Products Catalog
Solicitud:	-
Peso:	-
Reemplazo Alternativo:	-

Disponibilidad en tiempo real para

APTM10UM01FAG
En stock: 8564 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

Descripción
Pago
Envío
embalaje

Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id	4V @ 12mA
Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo	SP6
Serie	-
RDS (Max) @Id, Vgs	1.6 mOhm @ 275A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2500W (Tc)
embalaje	Bulk
Paquete / Cubierta	SP6
Otros nombres	APTM10UM01FAGMI APTM10UM01FAGMI-ND
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	22 Weeks
Número de pieza del fabricante	APTM10UM01FAG
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	60000pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	2100nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-
Descripción ampliada	N-Channel 100V 860A 2500W (Tc) Chassis Mount SP6
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V
Descripción	MOSFET N-CH 100V 860A SP6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	860A

Otros

Paquete estándar	1
Otros nombres	APTM10UM01FAGMI APTM10UM01FAGMI-ND

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