APTM120A65FT1G

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EXSHINE Número de pieza:	EX-APTM120A65FT1G
Fabricante Número de pieza:	APTM120A65FT1G
Fabricante / Marca:	Microsemi
Breve descripción:	MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:	New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:	APTM120A65FT1G Power Products Catalog
Solicitud:	-
Peso:	-
Reemplazo Alternativo:	-

Disponibilidad en tiempo real para

APTM120A65FT1G
En stock: 86360 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

Descripción
Pago
Envío
embalaje

Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id	5V @ 2.5mA
Paquete del dispositivo	SP1
Serie	-
RDS (Max) @Id, Vgs	780 mOhm @ 14A, 10V
Potencia - Max	390W
embalaje	Bulk
Paquete / Cubierta	SP1
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	22 Weeks
Número de pieza del fabricante	APTM120A65FT1G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	7736pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	300nC @ 10V
Tipo FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Característica de FET	Standard
Descripción ampliada	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 16A 390W Chassis Mount SP1
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	1200V (1.2kV)
Descripción	MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	16A

Otros

Paquete estándar	1

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