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APTM100DAM90G

EXSHINE Número de pieza:EX-APTM100DAM90G
Fabricante Número de pieza:APTM100DAM90G
Fabricante / Marca:Microsemi
Breve descripción:MOSFET N-CH 1000V 78A SP6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:APTM100DAM90GPower Products Catalog
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APTM100DAM90G
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Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id 5V @ 10mA
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo SP6
Serie -
RDS (Max) @Id, Vgs 105 mOhm @ 39A, 10V
La disipación de energía (máximo) 1250W (Tc)
embalaje Bulk
Paquete / Cubierta SP6
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 22 Weeks
Número de pieza del fabricante APTM100DAM90G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 20700pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 744nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica de FET -
Descripción ampliada N-Channel 1000V (1kV) 78A 1250W (Tc) Chassis Mount SP6
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 1000V (1kV)
Descripción MOSFET N-CH 1000V 78A SP6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 78A

Otros

Paquete estándar 1

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