APTM100H18FG

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APTM100H18FG

EXSHINE Número de pieza:EX-APTM100H18FG
Fabricante Número de pieza:APTM100H18FG
Fabricante / Marca:Microsemi
Breve descripción:MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:APTM100H18FGPower Products Catalog
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APTM100H18FG
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Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

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Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id 5V @ 5mA
Paquete del dispositivo SP6
Serie -
RDS (Max) @Id, Vgs 210 mOhm @ 21.5A, 10V
Potencia - Max 780W
embalaje Bulk
Paquete / Cubierta SP6
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 22 Weeks
Número de pieza del fabricante APTM100H18FG
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 10400pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 372nC @ 10V
Tipo FET 4 N-Channel (H-Bridge)
Característica de FET Standard
Descripción ampliada Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 43A 780W Chassis Mount SP6
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 1000V (1kV)
Descripción MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 43A

Otros

Paquete estándar 1

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