APTM100DU18TG

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EXSHINE Número de pieza:	EX-APTM100DU18TG
Fabricante Número de pieza:	APTM100DU18TG
Fabricante / Marca:	Microsemi
Breve descripción:	MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:	New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:	Power Products Catalog
Solicitud:	-
Peso:	-
Reemplazo Alternativo:	-

Disponibilidad en tiempo real para

APTM100DU18TG
En stock: 53447 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

Descripción
Pago
Envío
embalaje

Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id	5V @ 5mA
Paquete del dispositivo	SP4
Serie	-
RDS (Max) @Id, Vgs	210 mOhm @ 21.5A, 10V
Potencia - Max	780W
embalaje	Bulk
Paquete / Cubierta	SP4
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante	APTM100DU18TG
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	10400pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	372nC @ 10V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Característica de FET	Standard
Descripción ampliada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1000V (1kV) 43A 780W Chassis Mount SP4
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	1000V (1kV)
Descripción	MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	43A

Otros

Paquete estándar	1

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